Grafait phòrach airson fàs criostail SiC

Ann an gnìomhachas saothrachaidh leth-chonnsachaidh, tha grafait porous air a thighinn gu bhith na stuth gualain adhartach riatanach air sgàth a fheartan fiosaigeach is ceimigeach sònraichte. Tha Semixlab dealasach a thaobh toraidhean grafait porous àrd-inbhe a thoirt seachad gus coinneachadh ri feumalachdan an tagraidh agad ann an àrainneachdan cruaidh.

Feartan Corporra Bunasach Grafait Sùghach

Tha grafait phòrach stèidhichte air stuth grafait àrd-ghlan agus air a phròiseasadh le bhith a’ cleachdadh dhòighean adhartach gus structar porach a chruthachadh le structar èideadh agus porosity a ghabhas smachdachadh. Seo cuid de na prìomh fheartan fiosaigeach aige:

● Glanachd Àrd: Susbaint charboin cho àrd ri 99.9%, le ìrean neo-ghlainead air leth ìosal.

● Neo-sheasmhachd cheimigeach sàr-mhath: A’ fuireach seasmhach eadhon fo theodhachd anabarrach agus àile creimneach.

● Seoltachd Teirmeach Ìosal: A’ nochdadh coileanadh inslithe teirmeach air leth ann an àrainneachdan teòthachd àrd.

● Porosity fo Smachd: A’ toirt taic do ghnàthachadh diofar mheudan pore, le treòiteachd gas seasmhach agus atharrachail.

● Seasmhachd Teirmeach: Faodaidh e obrachadh gu seasmhach fo chumhachan anabarrach os cionn 2000°C.

Tha na feartan seo a’ dèanamh grafait porous na roghainn air leth freagarrach airson siostaman achaidh teirmeach, co-phàirtean inslitheachaidh, agus co-phàirtean sgaoilidh gas, gu sònraichte ann an àmhainnean fàis criostail singilte SiC, far a bheil na buannachdan coileanaidh aige gu sònraichte follaiseach.

Prìomh Dhleastanas Grafait Phorach ann an Àirneisean Fàs Criostail Singilte Silicon Carbide

Ann an àmhainnean fàis criostail singilte silicon carbide (SiC) adhartach, tha grafait porous a’ cluich pàirt chudromach, leis na trì prìomh dhleastanasan aige deatamach airson fàs soirbheachail criostalan SiC àrd-inbhe:

Tha seoltachd teirmeach ìosal a’ toirt seachad insulation sàr-mhath, a’ cumail teòthachd àrd taobh a-staigh an àmhainn agus a’ stèidheachadh ìrean teòthachd mionaideach.

Rè fàs criostail SiC, feumaidh an àmhainn teòthachd anabarrach a chumail suas cho àrd ri 2000°C no nas àirde. Bidh grafait phòrach, leis a’ ghiùlan teirmeach ìosal aige, a’ lughdachadh call teas, a’ dèanamh cinnteach à sgaoileadh teas seasmhach taobh a-staigh seòmar an àmhainn. Nas cudromaiche, le bhith a’ dealbhadh cumadh geoimeatrach agus sgaoileadh nam pores de na pàirtean inslithe grafait phòrach gu mionaideach, tha e comasach an claonadh teòthachd mionaideach a tha riatanach airson fàs criostail taobh a-staigh an àmhainn a chruthachadh agus a chumail suas gu ciallach. Tha an claonadh seo na fheachd dràibhidh airson còmhdhail smùid SiC agus fàs criostail òrdail; faodaidh eadhon atharrachaidhean beaga ann an teòthachd leantainn gu lochdan criostail. Mar sin, is e inslithe grafait le giùlan teirmeach ìosal a’ chlach-oisinn airson dèanamh cinnteach à seasmhachd teirmeach àrainneachd fàs criostail SiC.

Tha na feartan àrd-ghlanachd aige a’ toirt dha neo-sheasmhachd cheimigeach sàr-mhath, a’ comasachadh dha seasamh an aghaidh creimeadh àrd-teòthachd agus corp an àmhainn a dhìon, agus mar sin a’ dèanamh cinnteach à àrainneachd fàis ghlan.

Tha an àrainneachd fàis airson criostalan singilte SiC ag iarraidh purrachd air leth àrd. Chan e a-mhàin gu bheil teòthachd àrd taobh a-staigh an àmhainn a’ luathachadh ath-bheachdan ach faodaidh e cuideachd crìonadh stuthan no toirt a-steach neo-chunbhalachdan adhbhrachadh. Tha grafait porous àrd-ghlanachd Semixlab (Grafait Porous Àrd-ghlanachd) a’ nochdadh neo-ghnìomhachd cheimigeach air leth, a’ ciallachadh nach eil e ag ath-bhualadh leis na stòran silicon, stòran gualain, no àilean dìon (leithid argon) a tha riatanach airson fàs SiC, eadhon aig teòthachd air leth àrd. Bidh an aghaidh creimeadh àrd-teòthachd seo gu h-èifeachdach a’ dìon structar daor an àmhainn agus na pàirtean a-staigh bho chreimeadh, gu bunaiteach a’ cur às don chunnart gun tèid neo-chunbhalachd a thoirt a-steach. Tha àrainneachd fàis ghlan, gun thruailleadh na riatanas airson criostalan silicon carbide àrd-inbhe a thoirt gu buil.

Tha a phrìomh dhleastanas agus a’ phrìomh obair shònraichte aige na laighe anns an treòiteachd smachdail aige, a leigeas le gasaichean (gasaichean giùlain agus fo-thoraidhean ath-bhualadh) sgaoileadh gu cothromach agus gu seasmhach tron ​​stuth, a’ coileanadh cothromachadh fiùghantach de shuidheachaidhean cuideam ìosal taobh a-staigh an àmhainn. Bidh seo a’ cur casg air atharrachaidhean obann ann an cuideam agus aimhreit, agus mar sin a’ dèanamh cinnteach à còmhdhail sheasmhach de stuthan ìre smùide SiC agus fàs àrd-inbhe aig eadar-aghaidh a’ chriostail.

Is e seo an gnìomh as cudromaiche agus as do-sheachanta aig grafait porous ann am fàs criostail SiC. Mar as trice bidh criostalan SiC air am fàs a’ cleachdadh an dòigh sublimation, a tha a’ toirt a-steach giùlan ceò silicon-carbon gu uachdar criostail an t-sìl tro ghas giùlain. Tha an treòiteachd fo smachd sònraichte aig grafait porous a’ ciallachadh gu bheil an structar microporous eadar-cheangailte aige a’ leigeil le gas giùlain (leithid argon) agus fo-thoraidhean ath-bhualadh (leithid ceò Si agus C neo-fhreagairteach) sgaoileadh troimhe aig ìre èideadh agus seasmhach. Tha an sruth gas fo smachd seo deatamach oir tha e a’ comasachadh:

1. Cothromachadh fiùghantach a choileanadh san àrainneachd ìosal-bhruthadh taobh a-staigh an àmhainn: Cùm àrainneachd sheasmhach ìosal-bhruthadh taobh a-staigh seòmar an àmhainn gus casg a chuir air cruthachadh sònaichean ionadail àrd-bhruthadh no àicheil-bhruthadh, a tha nan suidheachaidhean air leth freagarrach airson còmhdhail ceò SiC.

2. Cuir casg air atharrachaidhean obann ann am bruthadh-fala agus aimhreit: Dh’fhaodadh sruthadh gas neo-riaghlaichte atharrachaidhean obann adhbhrachadh ann am bruthadh no aimhreit san àmhainn, a’ cur dragh mòr air slighe tar-chuir ceò SiC, ag adhbhrachadh tar-chuir neo-chothromach, agus mar sin a’ toirt buaidh air fàs agus càileachd cunbhalach a’ chriostail.

3. Dèan cinnteach gu bheil còmhdhail sheasmhach de stuthan ìre smùide SiC ann: Bidh sgaoileadh gas seasmhach a’ dèanamh cinnteach gum faod ro-ruithearan SiC (silicon agus ceò gualain) ruighinn uachdar criostail an t-sìl gu leantainneach agus gu cothromach, a’ seachnadh chùisean leithid solar neo-iomchaidh no cus cruinneachadh.

4. A’ brosnachadh fàs eadar-aghaidh criostail àrd-inbhe: ’S e tar-chur seasmhach ìre smùide am bunait airson eadar-aghaidhean criostail rèidh, gun lochdan a chruthachadh. Le bhith a’ cumail smachd mionaideach air sgaoileadh gas tro ghrafait porous, faodar lochdan leithid dì-àiteachaidhean agus meanbh-phìoban rè fàs criostail a chumail fodha gu h-èifeachdach, agus mu dheireadh a’ toirt a-mach criostalan singilte SiC àrd-inbhe, mòra.

Buannachdan agus Geallaidhean Seirbheis Toraidh Grafait Sòrach Semixlab

1. Taic airson iomadh sònrachadh agus seirbheisean gnàthachaidh

Faodaidh Semixlab toraidhean grafait porous a ghnàthachadh a rèir riatanasan luchd-ceannach, a’ gabhail a-steach ach gun a bhith cuibhrichte gu:

● Bricichean inslithe, còmhdaichean inslithe teirmeach

● Plàtaichean sgaoilidh gas, blocaichean treòiteachd

● Co-phàirtean achaidh teirmeach sònraichte (saothrachadh gnàthaichte ri fhaighinn stèidhichte air dealbhan a chaidh a thoirt seachad)

● Raon gnàthachaidh: Porosity 10%-80%, tiughas ±0.1mm smachd mionaideachd

2. Lìbhrigeadh Luath agus Pacadh Àrd-inbhe

Bidh sinn a’ tabhann siostam slabhraidh solair sùbailte is èifeachdach:

● Cearcall lìbhrigidh: Sònrachaidhean àbhaisteach air an cur a-mach taobh a-staigh 5-7 làithean obrach; pàirtean gnàthaichte air an lìbhrigeadh taobh a-staigh 10-15 latha às dèidh dearbhadh dealbhaidh.

● Inbhean pacaidh: Pacadh dìon-duslach falamh + dìon maothachaidh ioma-fhilleadh gus dèanamh cinnteach à còmhdhail sàbhailte agus gun thruailleadh.

Ma thaghas tu grafait phòrach Semixlab, tha thu a’ ciallachadh gu bheil thu a’ taghadh càileachd àrd, gnàthachadh proifeasanta, agus seirbheis air leth. Tha sinn a’ coimhead air adhart ri bhith ag obair còmhla riut gus fuasglaidhean stuthan earbsach a thoirt seachad airson na tagraidhean teicneòlais ùr-nodha agad.