EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Teasadair grafait còmhdaichte le SiC airson MOCVD
Tha an teasadair MOCVD grafait còmhdaichte le SiC Semixlab na ghiùlan teasachaidh àrd-choileanaidh a chaidh a dhealbhadh airson pròiseasan saothrachaidh leth-chonnsachaidh a bhios a’ cleachdadh tasgadh smùid ceimigeach (CVD) gus còmhdach silicon carbide (SiC) aonfhoirmeil, dùmhail a chruthachadh air uachdar fo-strat grafait fìor-ghlan.
Tuairisgeul
Fiosrachadh mionaideach
Bidh an teasadair MOCVD grafait còmhdaichte le SiC a’ cothlamadh an giùlan teirmeach sàr-mhath aig grafait le strì an aghaidh teòthachd àrd agus creimeadh còmhdachaidhean SiC, agus tha e air a chleachdadh gu farsaing ann an uidheamachd tasgadh smùid ceimigeach meatailt-organach (MOCVD) gus dèanamh cinnteach à seasmhachd agus purrachd àrd ann am pròiseasan fàis epitaxy wafer.
Feartan Toraidh Teasadair MOCVD Grafait Còmhdaichte SiC
1. Glanachd agus seasmhachd cheimigeach fìor àrd
Purity ≥99.99995%: Tha an teasadair grafait againn air ullachadh fo chlòrachadh teòthachd àrd tron phròiseas CVD, a sheachnas truailleadh neo-ghlainead meatailt gu h-èifeachdach agus a choinnicheas ris an iarrtas airson àrainneachdan fìor-ghlan ann an saothrachadh leth-chonnsachaidh.
An-aghaidh creimeadh ceimigeach: Faodaidh cruas dùmhail is àrd còmhdach SiC (cruas Vickers de 2500-2800) seasamh an aghaidh creimeadh aigéid, alcalan, salainn agus fuasglaidhean organach, a leudaicheas beatha seirbheis an uidheamachd ann an àrainneachd gas creimneach.
2. Sàr-mhath an aghaidh teòthachd àrd
Seasmhachd teòthachd àrd: faodaidh e seasamh suas ri 3000 ° C ann an àile neo-ghnìomhach, obrachadh seasmhach suas ri 2200 ° C ann an àrainneachd falamh, agus 1600-1700 ° C ann an àrainneachd ocsaideachaidh, a tha freagarrach airson na suidheachaidhean fìor ann an seòmar ath-bhualadh MOCVD.
Co-èifeachd Leudachaidh Teirmeach Ìosal (4.5 x 10-⁶K-¹): Tha am feart seo de Theasadair Grafait MOCVD gu h-èifeachdach a’ lughdachadh sgàineadh no rùsgadh còmhdach mar thoradh air atharrachaidhean teòthachd, a’ dèanamh cinnteach à ionracas structarail fo chearcall teirmeach fad-ùine.
3. Coileanadh riaghlaidh teirmeach air a leasachadh
Seoltachd Teirmeach Àrd (200-300 W/mK): Tha an seoltachd teirmeach àrd aig an teasadair grafait MOCVD a’ dearbhadh gum faod an toradh teas a ghluasad gu sgiobalta agus gu cothromach gus sgaoileadh teòthachd uachdar wafer cunbhalach (±1°C) a choileanadh, agus mar sin a’ leasachadh cunbhalachd an t-sreath epitaxial gu h-èifeachdach.
Dealbhadh Achaidh Sruthadh Gas Laminar: Às dèidh ath-aithris is ùrachadh teicneòlais leantainneach, bidh rèidhlean uachdar an teasadair MOCVD againn (Ra ≤ 0.8μm) agus an leasachadh geoimeatraidh a’ dèanamh cinnteach à sgaoileadh cunbhalach de ghasan ath-ghnìomhach agus a’ lughdachadh neo-chunbhalachd tasgadh air adhbhrachadh le aimhreit.
Sònrachaidhean
Coimeas agus Buannachdan Paramadairean Teicnigeach
| Characteristics | Teasadairean còmhdaichte le SiC ann an Semixlab | Teasadairean grafait àbhaisteach |
| Teòthachd obrachaidh as àirde (neo-ghnìomhach) | 3000 ° C | 2500 ° C |
| Pure ceimigeach | ≥99.99995% | ≤99.99 |
| Giùlan teirmeach | 300 W / mK | 120-150 W / mK |
| Sgòthan geala | 415 MPa (lùbadh 4-phuing) | 100-200 mpa |
| Beatha àbhaisteach (cearcallan) | > 500 cearcall | 100-200 cearcall |
Buannachd farpaiseach
Carson a tha Semixlab ann?
Gnàthachadh: Tha Semixlab dealasach a thaobh toraidhean agus seirbheisean teicnigeach gnàthaichte a thoirt do ar luchd-ceannach. Tha sinn a’ toirt taic do ghnàthachadh mheudan neo-àbhaisteach (suas ri 360mm de thrast-thomhas) agus tighead còmhdach (20-500μm) gus freagairt air raon farsaing de fheumalachdan uidheamachd.
Teisteanas Cruinneil: Tha an teasadair grafait còmhdaichte SiC againn a’ gèilleadh ri SEMI, le teisteanas ISO 9001, agus tha na toraidhean againn air an às-mhalairt sa mhòr-chuid dhan Roinn Eòrpa agus na Stàitean Aonaichte, a bharrachd air Iapan agus Corea a Deas, le buannachd mhòr prìs/coileanaidh.
Co-obrachadh teicnigeach: Tha Semixlab air a bhith a’ cumail suas co-obrachadh dlùth le prìomh ionadan rannsachaidh ann an Sìona airson ùine mhòr, a’ cleachdadh teicneòlasan còmhdach peutant (leithid pròiseas SiC³ aig CGT Carbon) gus dùmhlachd còmhdach agus strì an aghaidh clisgeadh teirmeach a bharrachadh.
