Glacadair Grafait Còmhdaichte SiC MOCVD

1. Leudachadh beatha le 300%+

Leigidh teicneòlas an t-sreath bufair le àireamh nan cuairtean clisgeadh teirmeach a bhith nas motha na 5,000 uair (nas lugha na 1,500 uair airson toraidhean àbhaisteach).

Faodaidh an teòthachd obrachaidh leantainneach ruighinn 1650°C, agus chan eil sgàinidhean no rùsgadh sam bith air a’ chòmhdach.

2. Gealladh gun truailleadh

Tha purrachd còmhdach SiC aig ìre 6N (suim iomlan neo-chunbhalachdan meatailt <0.5ppm).

Air a dhol seachad air deuchainn àbhaisteach SEMI airson leigeil ma sgaoil mìrean (glainead Clas 10).

3. Leasachadh air cunbhalachd raoin teirmeach

Tha an diofar teòthachd air uachdar a’ bhunait nas lugha na ±2°C (dàta tomhaiste airson sònrachadh Φ300mm).

A’ toirt taic do theasachadh luath (20°C/s) gun deformachadh teirmeach.

4. Sàr-aghaidh meirg

A’ seasamh an aghaidh creimeadh le gasaichean leithid H2, NH3, agus TMAl, le beatha seirbheis de chòrr air 18 mìosan.

Tha an ìre atharrachaidh ann an garbh-chruth an uachdair nas lugha na 5% (air a dhearbhadh an dèidh 100 cearcall pròiseis).

5. Co-chòrdail ri modalan prìomh-shruthach air feadh an t-saoghail

A’ toirt taic do ghnàthachadh ann an trast-thomhasan eadar 50 agus 500mm.

6. Leasachadh cosgais cearcall-beatha slàn

Chaidh an cearcall cumail suas a leudachadh gu trì uiread nas motha na an fheadhainn airson toraidhean àbhaisteach.

Tha an ìre toraidh de wafers epitaxial air a dhol suas 2-3%.

Neart Companaidh

Tha 2 ionad R&D, 2 ionad cinneasachaidh, 12 loidhnichean cinneasachaidh, còrr is 150 neach-obrach aig Semixlab Technology Co., Ltd, agus tha tasgadh R&D a’ dèanamh suas còrr air 30%. Tha cruth ar toraidh air a chleachdadh sa mhòr-chuid ann an LED, cuairtean amalaichte IC, leth-chonnsachaidh treas ginealach, photovoltaic agus gnìomhachasan eile. Tha comasan làidir R&D, cinneasachaidh agus deuchainn is dearbhaidh amalaichte aig Semixlab. Aig an aon àm, tha sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh ar teicneòlais agus ar uidheamachd le tasgadh deichean de mhilleanan gach bliadhna.

Prìomh pharaimearan coileanaidh

Paramadairean a’ phròiseict

Is e grafait bhrùite isostatach SGL am bun-stuth

Tiughas còmhdach: 80-200μm (gnàthaichte)

Tha purrachd a’ chòmhdaich ≥99.9999%

Dùmhlachd: 1.85-1.90 g / cm³

Seoltachd teirmeach: 125 W/m·K (RT)

Neart lùbadh ≥45 MPa

Teòthachd obrachaidh ≤1800°C (àile neo-ghnìomhach)

Siostam dearbhaidh càileachd

Lorg-rian làn-phròiseis: Clàradh dàta iomlan bho fho-strat grafait chun phròiseas còtaidh.

Lorgaireachd mionaideach: mion-sgrùdadh còmhdach SEM/EDS, lorg aodion speactramaitraidh mais helium, deuchainn clisgeadh teirmeach aig teòthachd àrd.

Feartan corporra bunaiteach còmhdach CVD SiC:

Suidheachaidhean no uidheam tagraidh: uidheam Aixtron Epi

Prìomh shuidheachaidhean tagraidh

● Saothrachadh sliseagan LED: fàs epitaxial LED gorm/geal GaN.

● Leth-sheoladairean cumhachd: innealan cumhachd SiC/GaN (MOSFET, HEMT).

● Innealan tricead rèidio 5G: fo-strat sliseag tricead rèidio meanbh-thonna àrd-tricead.

● Diode laser: VCSEL, pròiseas epitaxial laser a bhios a’ leigeil a-mach oir.

● Pacadh adhartach: Tasgadh fhilmichean tana leth-chonnsachaidh àrd-chruinneas.

Sealladh farsaing air slabhraidh gnìomhachas epitaxy sliseagan leth-chonnsachaidh: